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1N5819WB

更新时间： 2024-02-14 21:26:14

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商升特 - SEMTECH		肖特基二极管
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2页	136K
描述
1 A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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技术参数
数据手册

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1N5819WB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819WB 数据手册

1N5817WB-1N5819WB

1 A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: 1N5817WB: A0

1N5818WB: ME

1N5819WB: SR

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_R

Value

Unit

1N5817WB

Reverse Voltage

1N5818WB

1N5819WB

I_O

Average Forward Rectified Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

(8.3 ms Single Half Sine-Wave)

I_FSM

Power Dissipation

P_tot

T_j

450

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_S

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

V_BR

Reverse Voltage Leakage Current

at V_R= 20 V

at V_R= 30 V

at V_R= 40 V

at V_R= 4 V

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

I_R

0.05

0.075

at V_R= 6 V

Forward Voltage

at I_F= 0.1 A

1N5819WB

0.45

at I_F= 1 A

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

0.45

0.55

0.6

V_F

at I_F= 3 A

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

0.75

0.875

0.9

Diode Capacitance

at V_R= 4 V, f = 1 MHz

C_D

120

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 20/12/2006

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