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1N5819-B

更新时间： 2024-01-30 21:06:28
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PALSTIC PACKAGE-2

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1N5819-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/895933.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=895933
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=8959333D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=895933
Samacsys PartID：895933Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/1N5819-B.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/1N5819-B.jpgSamacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint Name：DO-41Samacsys Released Date：2017-11-09 22:34:07
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5819-B 数据手册

 浏览型号1N5819-B的Datasheet PDF文件第2页 
1N5817  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
1N5819  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Low switching noise  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High switching capabitity  
* High reliability  
DO-41  
* High surge capability  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
.034 (0.9)  
DIA.  
.028 (0.7)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 0.33 gram  
.205 (5.2)  
.166 (4.2)  
.107 (2.7)  
DIA.  
.080 (2.0)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
1N5817  
20  
1N5818  
30  
1N5819  
40  
UNITS  
V
V
RRM  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RMS  
14  
20  
21  
30  
28  
40  
V
DC  
O
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
.375” (9.5mm) lead length at TL  
= 90oC  
I
1.0  
25  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Amps  
Typical Thermal Resistance (Note) 1  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Storage Operating Temperature Range  
R θ J A  
80  
110  
0C/W  
pF  
0 C  
CJ  
T
J
, TSTG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum Forward Voltage at 3.1A DC  
SYMBOL  
1N5817  
.45  
1N5818  
.55  
1N5819  
.60  
UNITS  
Volts  
V
V
F
F
.75  
.875  
1.0  
.90  
Volts  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
Maximum Average Reverse Current at  
mAmps  
I
R
Rated DC Blocking Voltage  
@T  
10  
NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2002-11  
12

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