5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW POWER LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5819-G | COMCHIP |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 |
|
| 1N5819G-B | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5819G-BP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN |
|
| 1N5819G-CA2-R | UTC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| 1N5819G-CA2S-R | UTC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN AND LEAD FREE PACKA |
|
| 1N5819GE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN |
|
| 1N5819GP | CHENMKO |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| 1N5819G-T | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| 1N5819G-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN |
|
| 1N5819H | PANJIT |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
