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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW DISTORTION |
| 应用： | ATTENUATOR; SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 0.4 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 最大二极管正向电阻： | 2.5 Ω |
| 二极管类型： | PIN DIODE | 频带： | MEDIUM FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 少数载流子标称寿命： | 1 µs | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5768 | MICROSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY |
|
| 1N5768 | TI |
获取价格 |
8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| 1N5768 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N5768_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOLATED DIODE ARRAY |
|
| 1N5768_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options |
|
| 1N5768S | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| 1N5768S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N5768TX | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N5768TXV | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5769 | TI |
获取价格 |
8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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