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1N5627

更新时间： 2024-11-19 07:22:39
品牌 Logo 应用领域
EIC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

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1N5627 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5627 数据手册

 浏览型号1N5627的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
1N5624 - 1N5627  
GLASS PASSIVATED JUNCTION  
SILICON RECTIFIERS  
PRV : 200 - 800 Volts  
Io : 3.0 Amperes  
D2A  
FEATURES :  
* Glass passivated cavity-free junction  
* Low forward voltage drop  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
MIN.  
0.161 (4.1)  
0.154 (3.9)  
* Low reverse current  
* High forward surge capability  
* Pb / RoHS Free  
0.284 (7.2)  
0.268 (6.8)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : D2A Molded plastic  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
1.00 (25.4)  
MIN.  
0.0400 (1.02)  
0.0385 (0.98)  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 0.645 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
RATING  
SYMBOL 1N5624 1N5625 1N5626 1N5627 UNIT  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
3.0  
A
A
V
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 70 °C  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half  
sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
125  
at IF = 3.0 A , Ta = 25 °C  
at IF = 3.0 A , Ta = 175 °C  
Ta = 25 °C  
Maximum Forward Voltage  
1.00  
0.95  
5.0  
IR  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
µA  
µA  
IR(H)  
Ta = 175 °C  
300  
150  
200  
100  
Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle Average  
0.375"(9.5mm) Lead Length at Ta = 70 °C  
Typical Junction Capacitance (Note1)  
IR(AV)  
µA  
CJ  
RӨJA  
RӨJL  
TJ  
40  
20  
10  
pF  
°C/W  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 65 to + 175  
- 65 to + 175  
TSTG  
°C  
Notes :  
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts  
(2) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length,  
with both leads attached between heat sinks  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : July 19, 2006  
12

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与1N5627相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5627-E3/54 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
1N5627GP VISHAY

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N5627GP/4F-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/65-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/71 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5627GP/90-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/92-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/93-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP-E3/100 VISHAY

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 		暂无描述
1N5627GP-E3/4 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P

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