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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-201AD |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5627GP-E3/100 | VISHAY |
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暂无描述 |
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| 1N5627GP-E3/4 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P |
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| 1N5627GP-E3/4G | VISHAY |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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| 1N5627GP-E3/4H | VISHAY |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode |
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| 1N5627GPHE3/73 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R |
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| 1N5627GP-HE3/73 | VISHAY |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R |
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| 1N5627-TAP | VISHAY |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE |
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| 1N5627TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| 1N5627-TR | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| 1N5627TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, |
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