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1N5627-E3/54

更新时间： 2024-11-24 08:42:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 213K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5627-E3/54 数据手册

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1N5624 to 1N5627  
Vishay Semiconductors  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
e2  
• Controlled avalanche characteristics  
949588  
• Low reverse current  
• High surge current loading  
Mechanical Data  
Case: SOD-64 Sintered glass case  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Applications  
Rectification, general purpose  
Weight: approx. 858 mg  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 200 V; IFAV = 3 A  
Package  
SOD-64  
1N5624  
1N5625  
1N5626  
1N5627  
V
V
R = 400 V; IFAV = 3 A  
R = 600 V; IFAV = 3 A  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
VR = 800 V; IFAV = 3 A  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
see electrical characteristics  
1N5624  
VR = VRRM  
1N5625  
1N5626  
1N5627  
VR = VRRM  
400  
600  
800  
100  
18  
V
V
V
A
A
A
W
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sinewave  
IFRM  
IFAV  
3
Pulse avalanche peak power  
tp = 20 µs, half sine wave, Tj =  
PR  
1000  
175 °C  
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
20  
mJ  
i2*t-rating  
i2*t  
A2*s  
°C  
40  
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
Document Number 86063  
Rev. 1.4, 08-Jul-05  
www.vishay.com  
1
12345

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1N5627-E3/54 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5627-TAP VISHAY

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 DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE
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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/71 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
1N5627GP/90-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/92-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP/93-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5627GP-E3/100 VISHAY

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 		暂无描述
1N5627GP-E3/4 VISHAY

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1N5627GP-E3/4G VISHAY

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 		DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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