生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-MELF-N2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.11 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-MELF-N2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.25 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | END |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5619V | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon | |
1N5619X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, | |
1N562 | NJSEMI |
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STUD BASE RECTIFIER DO4 | |
1N5620 | NJSEMI |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER | |
1N5620 | VMI |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
1N5620 | SEMTECH |
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RECTIFIER, up to 1kV, 2A, 2μs | |
1N5620 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
1N5620 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER | |
1N5620 | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM) | |
1N5620 | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION AVALANCHE RECTIFIER V |