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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.4 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 最小击穿电压： | 54 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 49.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5613 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS TRANSIENT SUPPRESSOR DIODES |
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| 1N5613 | EIC |
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UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 1N5613 | NJSEMI |
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Zener diodes with a high surge capability Glass Body Diodes |
|
| 1N5614 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER |
|
| 1N5614 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS |
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| 1N5614 | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM) |
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| 1N5614 | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN |
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| 1N5614 | EIC |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
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| 1N5614 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
|
| 1N5614 | NJSEMI |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER |
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