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1N5613

更新时间: 2024-11-29 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器瞬态抑制二极管齐纳二极管
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2页 84K
描述
POWER ZENERS TRANSIENT SUPPRESSOR DIODES

1N5613 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED最小击穿电压:191 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:265 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:175 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5613 数据手册

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