是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.53 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 最小击穿电压: | 191 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 265 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 1500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 3 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 175 V | 最大反向电流: | 5 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5614 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER | |
1N5614 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS | |
1N5614 | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM) | |
1N5614 | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN | |
1N5614 | EIC |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS | |
1N5614 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
1N5614 | NJSEMI |
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GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER | |
1N5614 | SEMTECH |
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RECTIFIER, up to 1kV, 2A, 2μs | |
1N5614_07 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N5614_09 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |