5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AH | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 标称参考电压： | 19 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5539B-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
|
| 1N5539B-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5539BBK | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5539BBKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5539BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N5539BLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5539BTR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5539BTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5539BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 19V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5539BUR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
