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1N5531CURTR

更新时间: 2024-09-09 13:02:23
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美高森美 - MICROSEMI 二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2

1N5531CURTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-213AA
包装说明:R-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.69
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:80 Ω
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:R-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:RECTANGULAR
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

1N5531CURTR 数据手册

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