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1N5529CBK

更新时间: 2024-02-27 20:40:39
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1页 218K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N5529CBK 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:2%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

1N5529CBK 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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