5秒后页面跳转
1N5519B-1E3TR PDF预览

1N5519B-1E3TR

更新时间: 2024-09-15 13:27:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

1N5519B-1E3TR 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:3.6 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N5519B-1E3TR 数据手册

 浏览型号1N5519B-1E3TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5519B-1E3TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5519B-1E3TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N5519B-1E3TR的Datasheet PDF文件第5页 

与1N5519B-1E3TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5519B-1TR MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N5519BBK CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5519BBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5519BBKTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Zener Diode,
1N5519BCO AEROFLEX

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DIE-1
1N5519BE3 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME
1N5519BTR MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N5519BTR-1 MICROSEMI

获取价格

Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
1N5519BTRLEADFREE CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 3.6V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5519BUR MICROSEMI

获取价格

LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW