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1N5391

更新时间： 2024-09-14 14:53:43
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3页 440K
描述
1.5A,50V Through-Hole Rectifier-General Purpose Single

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1N5391 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.06
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5391 数据手册

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1N5391 THRU 1N5399  
www.centralsemi.com  
SILICON RECTIFIERS  
1.5 AMP, 50 THRU 1000 VOLT  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5391 series  
devices are silicon rectifiers designed for general  
purpose rectifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DO-15 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
1N  
A
SYMBOL 5391 5392 5393 5394 5395 5396 5397 5398 5399 UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
50 100 200 300 400 500 600 800 1000  
50 100 200 300 400 500 600 800 1000  
V
V
V
A
A
RRM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
35  
70 140 210 280 350 420 560 700  
R(RMS)  
Average Forward Current (T =55°C)  
A
Peak Forward Surge Current (tp=8.3ms)  
I
1.5  
50  
O
I
FSM  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
-55 to +150  
45  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V =Rated V  
1.0  
μA  
R
R
RRM  
RRM  
I
V =Rated V  
, T =100°C  
50  
μA  
V
R
R
J
V
I =1.5A  
1.4  
F
F
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
25  
pF  
J
R
R3 (6-April 2016)  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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