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1N5142

更新时间: 2024-09-16 20:19:59
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N5142 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.12
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:60 V
配置:SINGLE二极管电容容差:10%
最小二极管电容比:2.8标称二极管电容:15 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:250表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

1N5142 数据手册

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