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1N4830

更新时间: 2024-11-13 21:53:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
AXIAL LEAD DIODES

1N4830 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):2.69 V
正向电压最小值(VF):2.15 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Stabistor Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4830 数据手册

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