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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 300 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4724A | NJSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N4724E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| 1N4725 | MICROSEMI |
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Silicon Rectifiers |
|
| 1N4725 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifiers |
|
| 1N4725E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| 1N4727 | DAYA |
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SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES |
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| 1N4727 | NJSEMI |
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General Electric type |
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| 1N4727 | SURGE |
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Zener Diode, |
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| 1N4727 | SEMTECH |
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SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES |
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| 1N4727 | GXELECTRONICS |
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Small current low zener impedance |
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