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1N4689UR-1E3

更新时间: 2024-09-16 14:31:55
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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5页 170K
描述
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W

1N4689UR-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.11其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:5.1 V
最大反向电流:10 µA反向测试电压:3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:5%工作测试电流:0.05 mA
Base Number Matches:1

1N4689UR-1E3 数据手册

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