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1N4685C

更新时间: 2024-09-12 23:18:19
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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1页 52K
描述
Silicon 250mW Zener Diodes

1N4685C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-7包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.3Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.6 V
最大反向电流:7.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2%工作测试电流:0.05 mA
Base Number Matches:1

1N4685C 数据手册

  

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