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1N4437F

更新时间: 2024-11-11 13:03:31
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

1N4437F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-MUPF-D4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.46
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:O-MUPF-D4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:160 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4437F 数据手册

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