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1N4437S

更新时间: 2024-09-23 13:03:31
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

1N4437S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-MUPF-D4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.46
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C最小击穿电压:450 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:O-MUPF-D4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:160 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N4437S 数据手册

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