5秒后页面跳转
1N4438F PDF预览

1N4438F

更新时间: 2024-11-12 05:27:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

1N4438F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.63
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:O-MUPF-D4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:160 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N4438F 数据手册

 浏览型号1N4438F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4438F的Datasheet PDF文件第3页 

与1N4438F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4438FS MICROSEMI

获取价格

暂无描述
1N4438FT MICROSEMI

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
1N4438S MICROSEMI

获取价格

暂无描述
1N4438T MICROSEMI

获取价格

Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon,
1N443B NJSEMI

获取价格

Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A
1N444 NJSEMI

获取价格

Diode Zener Single 68V 5% 1.5W 2-Pin DO-41
1N4441 NJSEMI

获取价格

FAST RECTIFIER
1N4442 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 75V 0.25A Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
1N4443 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 75V 0.25A Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
1N4444 MICROSEMI

获取价格

COMPUTER DIODE Switching