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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4255E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.25A, 2000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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| 1N4255SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N4256 | NJSEMI |
获取价格 |
Microminiature package. |
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| 1N4256 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N4256E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.25A, 2500V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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| 1N4256SM | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N4256SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| 1N4257 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
|
| 1N4257 | NJSEMI |
获取价格 |
Microminiature package. |
|
| 1N4257E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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