是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.49 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 3.5 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 10 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.25 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 1.5 W |
最大重复峰值反向电压: | 2500 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4256SM | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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1N4256SME3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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1N4257 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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1N4257 | NJSEMI |
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Microminiature package. |
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1N4257E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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1N4257SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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1N4278 | JINANJINGHENG |
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1W SILICON PLANAR ZENER DIODES |
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1N429 | SMSC |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), Silicon |
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1N4291 | NJSEMI |
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DO-41 |
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1N4292 | NJSEMI |
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DO-41 |
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