5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 3000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4257E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Blank, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| 1N4257SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
|
| 1N4278 | JINANJINGHENG |
获取价格 |
1W SILICON PLANAR ZENER DIODES |
|
| 1N429 | SMSC |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), Silicon |
|
| 1N4291 | NJSEMI |
获取价格 |
DO-41 |
|
| 1N4292 | NJSEMI |
获取价格 |
DO-41 |
|
| 1N4293 | NJSEMI |
获取价格 |
DO-41 |
|
| 1N4294 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, S Band, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-23, 1 PIN |
|
| 1N4294AM | ASI |
获取价格 |
Diode, |
|
| 1N4294M | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, S Band, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
