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1N4151WS-E3-08

更新时间： 2024-02-12 07:01:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
Small Signal Fast Switching Diode

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1N4151WS-E3-08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.42
Samacsys Description：Diode 50V 150mA Small Signal SOD-323 Vishay 1N4151WS-E3-08 Switching Diode, 150mA 50V, 2-Pin SOD-123配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30

1N4151WS-E3-08 数据手册

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1N4151WS  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1
UNIT  
V
Forward voltage  
IF = 50 mA  
VF  
IR  
V
R = 50 V  
50  
nA  
μA  
V
Leakage current  
V
R = 20 V, Tj = 150 °C  
IR  
50  
Reverse breakdown voltage  
Capacitance  
IR = 5 µA (pulsed)  
V(BR)  
75  
VF = VR = 0 V  
2
4
pF  
IF = 10 mA, IR = 10 mA  
R = 1 mA  
trr  
trr  
ns  
ns  
i
Reverse recovery time  
IF = 10 mA, iR = 1 mA,  
R = 6 V, RL = 100 Ω  
2
V
TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
1000  
100  
1000  
800  
600  
400  
°
T = 100 C  
j
10  
°
25  
C
1
0.1  
200  
0
0.01  
0
20 40 60 80 100 120 140 160180 200  
- Ambient Temperature (°C)  
0
0.2 0.4 0.6 0.8  
1
1.2 1.4 1.6 1.8 2  
18743  
T
amb  
18742  
V - Forward Voltage (V)  
F
Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage  
Fig. 3 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
10000  
°
T = 25 C  
j
1.1  
1.0  
0.9  
°
T = 25 C  
j
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
1000  
100  
0.8  
0.7  
10  
1
0
2
4
6
8
10  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
V
R
- Reverse Voltage (V)  
18664  
I
F
- Forward Current (mA)  
18662  
Fig. 2 - Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current  
Fig. 4 - Relative Capacitance vs. Reverse Voltage  
Rev. 1.8, 06-Jul-17  
Document Number: 85847  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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