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1N4150

更新时间: 2024-02-24 01:43:42
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罗姆 - ROHM 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Switching diode

1N4150 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

1N4150 数据手册

 浏览型号1N4150的Datasheet PDF文件第1页 
1N4148 / 1N4150 / 1N4448 / 1N914B  
Diodes  
!Electrical characteristic curves (Ta = 25°C)  
100  
3.0  
f=1MHz  
50  
100°C  
3000  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
20  
1000  
70°C  
50°C  
10  
300  
5
100  
2
1
30  
Ta=25°C  
10  
0.5  
3
0.2  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6  
FORWARD VOLTAGE : V V)  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
F
(
REVERSE VOLTAGE : VR (V)  
REVERSE VOLTAGE : VR (V)  
Fig. 1 Forward characteristics  
Fig. 3 Capacitance between  
terminals characteristics  
Fig. 2 Reverse characteristics  
3
2
1
0
100  
50  
PULSE  
Single pulse  
V
Irr  
R
=
6V  
=
1/10I  
R
20  
10  
5
2
1
0
10  
20  
30  
0.1  
1
10  
100  
1000 10000  
FORWARD CURRENT : I  
F (mA)  
PULSE WIDTH : Tw (ms)  
Fig. 4 Reverse recovery time  
characteristics  
Fig. 5 Surge current characteristics  
0.01µF  
D.U.T.  
5Ω  
PULSE GENERATOR  
SAMPLING  
OSCILLOSCOPE  
50Ω  
OUTPUT 50Ω  
INPUT  
100ns  
OUTPUT  
t
rr  
0
Fig. 6 Reverse recovery time (trr) measurement circuit  

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