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1N4006GP

更新时间： 2024-11-30 07:21:03
品牌 Logo 应用领域
海湾 - GULFSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 144K
描述
SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A

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1N4006GP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.07Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1N4006GP 数据手册

 浏览型号1N4006GP的Datasheet PDF文件第2页 
1N4001GP THRU 1N4007GP  
SINTERED GLASS JUNCTION  
PLASTIC RECTIFIER  
VOLTAGE: 50 TO 1000V  
CURRENT: 1.0A  
DO-41\DO-204AL  
FEATURE  
High temperature metallurgically bonded construction  
Sintered glass cavity free junction  
Capability of meeting environmental standard of  
MIL-S-19500  
High temperature soldering guaranteed  
350℃/10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension  
Operate at Ta =55°C with no thermal run away  
Typical Ir<0.1µA  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20％)  
1N4001  
GP  
1N4002  
GP  
1N4003  
GP  
1N4004  
GP  
1N4005  
GP  
1N4006  
GP  
1N4007  
GP  
SYMBOL  
units  
*
*
*
*
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
100  
1000  
If(av)  
1.0  
A
Current 3/8”lead length at Ta =75°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
*
Ifsm  
Vf  
30.0  
1.1  
A
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage at  
1.0A  
*
*
Maximum full load reverse current full cycle  
Ir(av)  
30.0  
µ
A
Average at 75°C  
5.0  
µA  
µA  
µS  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Typical Reverse Recovery Time  
Ta =25  
°C  
C
Ir  
50.0  
Ta =125  
°
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
Trr  
Cj  
2.0  
8.0  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
pF  
R(ja)  
Tstg, Tj  
45.0  
°
C
/W  
*
Storage and Operating Junction Temperature  
-65 to +175  
°C  
Note:  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
* JEDEC registered value  
Rev.A4  
www.gulfsemi.com  
12

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