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1N4006GP-BP

更新时间： 2024-12-01 18:44:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 512K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4006GP-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：2 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N4006GP-BP 数据手册

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M C C  
1N4001GP  
THRU  
1N4007GP  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
·
•
Glass Passivated Junction  
Low Current Leakage and Low Cost  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
1 Amp Glass  
PassivatedRectifier  
50 - 1000 Volts  
·
·
Maximum Ratings  
DO-41  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 20°C/W Junction To Lead  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
1N4001GP  
1N4002GP  
1N4001GP  
1N4002GP  
1N4003GP  
1N4004GP  
1N4005GP  
1N4006GP  
1N4007GP  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
A
1N4003GP  
1N4004GP  
1N4005GP  
1N4006GP  
1N4007GP  
Cathode  
Mark  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
1.0A  
TA = 75°C  
C
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.1V  
IFM = 1.0A;  
TJ = 25°C*  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.166  
.080  
.028  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.205  
.107  
.034  
---  
MAX  
5.20  
2.70  
.90  
NOTE  
5.0mA  
50mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
4.10  
2.00  
.70  
1.000  
25.40  
---  
Typical Junction  
Capacitance  
Maximum Reverse  
CJ  
15pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
IF=0.5A, IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
2.0us  
Trr  
Recovery Time  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
Note: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2013/01/01  
1 of 4  
1234

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1N4006GP-BP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4006RLG ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4006GP-BP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4006GPE VISHAY

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 		暂无描述
1N4006GPE/100 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
1N4006GPE/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
1N4006GPE/4G VISHAY

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1N4006GPE/58 VISHAY

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1N4006GPE/60 VISHAY

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1N4006GPE/64 VISHAY

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