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1N4006GPPTR

更新时间: 2024-12-02 08:18:43
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CENTRAL 二极管
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1页 24K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41

1N4006GPPTR 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.1其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4006GPPTR 数据手册

  

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