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1N3998RAE3

更新时间: 2024-09-21 13:58:07
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美高森美 - MICROSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 448K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-4, 1 PIN

1N3998RAE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.25其他特性:PD-CASE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:1.1 ΩJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:10 W
标称参考电压:6.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:PURE MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:405 mA
Base Number Matches:1

1N3998RAE3 数据手册

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