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1N3169

更新时间: 2024-11-07 22:37:31
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 130K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N3169 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-9
包装说明:O-MUPM-H1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.95 V
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-MUPM-H1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:3000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:240 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:500 V
最大反向恢复时间:5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N3169 数据手册

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