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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 35K |  |
| 描述 | ||
| 20A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE | ||
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 450 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大功率耗散： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向电流： | 5000 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N248BR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI |
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| 1N248BR | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 20A, 50V V(RRM) |
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| 1N248BR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| 1N248C | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N248C | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N248C | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 20A, 55V V(RRM) |
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| 1N248CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI |
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| 1N248CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI |
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| 1N248CRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI |
|
| 1N248R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI |
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