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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 35K | |
描述 | ||
20A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-MUPM-D1 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.48 | 其他特性: | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 450 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 20 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大功率耗散: | 25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 50 V |
最大反向电流: | 5000 µA | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N248C | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE | |
1N248C | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N248C | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 20A, 55V V(RRM) | |
1N248CE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N248CR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N248CRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N248R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N248RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N249 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers | |
1N2491 | NJSEMI |
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Rectifiers |