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1N2491

更新时间: 2024-01-23 06:44:43
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N2491 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:190 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N2491 数据手册

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