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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.49 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1050 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 60 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| S30620 | MICROSEMI |
功能相似  |
Silicon Power Rectifier |
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| R3420 | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2130AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130APBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130AR | AMERICASEMI |
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DEVICE HIGH POWER STANDARD |
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| 1N2130ARE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N2130RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N2131 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2131A | VISHAY |
获取价格 |
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
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