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1N2131RAPBF

更新时间: 2024-01-15 01:33:17
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 379K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

1N2131RAPBF 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:DO-5, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.33Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203ABJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:900 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:60 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

1N2131RAPBF 数据手册

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