5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| AMERICASEMI |  |
高功率电源 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 404K |  |
| 描述 | ||
| DEVICE HIGH POWER STANDARD | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2130ARE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N2130RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2130RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2131 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2131A | VISHAY |
获取价格 |
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
|
| 1N2131A | AMERICASEMI |
获取价格 |
DEVICE HIGH POWER STANDARD |
|
| 1N2131A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2131A | INFINEON |
获取价格 |
35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
