是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-9 |
包装说明: | O-MUPM-H1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.52 | Is Samacsys: | N |
应用: | SOFT RECOVERY POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.25 V |
JEDEC-95代码: | DO-205AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 5000 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 190 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 275 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
最大反向恢复时间: | 5 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N3269 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER | |
S50460 | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier | |
NTE6356 | NTE |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier Diode, 300 Amp |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2064E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2064IL | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N2064ILE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2064R | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2064R | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt | |
1N2064R | VISHAY |
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DIODE 250 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode | |
1N2064RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2064RIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 600V V(RRM), | |
1N2065 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2065E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 700V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |