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1N2064

更新时间: 2024-11-26 22:37:27
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N2064 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-9
包装说明:O-MUPM-H1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.52Is Samacsys:N
应用:SOFT RECOVERY POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-MUPM-H1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:5000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:190 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:275 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N2064 数据手册

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1N2064 替代型号

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DIODE 250 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode
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