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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-MUPM-H1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | HIGH POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-9 | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 190 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 250 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向电流： | 75 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2066RIL | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N2067 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2067 | VISHAY |
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DIODE 250 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode |
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| 1N2067E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2067IL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2067ILE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2067R | VISHAY |
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DIODE 250 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode |
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| 1N2067R | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt |
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| 1N2067RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), |
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| 1N2068 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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