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1N2067R

更新时间: 2024-11-29 20:20:07
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威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
5页 138K
描述
DIODE 250 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode

1N2067R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-9
包装说明:O-MUPM-H1针数:1
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.68Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-205AB
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:4500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:250 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:900 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N2067R 数据手册

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