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1N2066

更新时间： 2024-11-27 20:22:51

品牌	Logo	应用领域
DIGITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	339K
描述
Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Voltage: 800; Max DC Reverse Voltage: 75; Package: DO-9

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1N2066 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-MUPM-H1	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	HIGH POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	DO-9	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	190 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	250 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向电流：	75 µA
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N2066 数据手册

1N2054-1N2068

HIGH POWER RECTFIERS

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES

•

Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS

1N2054

1N2055

1N2056

1N2057

1N2058

1N2059

1N2060

1N2061

1N2062

1N2063

1N2064

1N2065

1N2066

1N2067

1N2068

Part number

Peak inverse

voltage

50V

100V

150V

200V

250V

300V

350V

400V

450V

500V

600V

700V

800V

900V

1000V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

I_F(AV)

I_FSM

Value

250 Amps

5000 Amps

104125 A²s

1.3 Volts

10 mA

Test Conditions

Average forward current

T_C= 135°C, square wave, R_θJC= 0.18°C/W

8.3ms, half sine, T_J= 190°C

8.3ms

Maximum surge current

Maximum I²t for fusing

I²t

Maximum peak forward voltage

Maximum peak reverse current

V_FM

I_RM

I_FM= 300A, T_J= 25°C*

V_RRM, T_J= 150°C

Maximum reverse current

I_RM

75 µA

V_RRM, T_J= 25°C

*Pulse test: Pulse width 300µs. Duty cycle 2%.

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

T_stg

Value

Storage temperature range

-65 to +190°C

Operating junction temperature range

Maximum thermal resistance

Typical thermal resistance (greased)

Mounting torque

T_J

-65 to +190°C

R_θJC

0.18°C/W junction to case

0.08°C/W case to sink

300-325 inch pounds

8.5 ounces (240 grams) typical

R_θCS

Weight

Rev. 20191205

12 3

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与1N2066相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N2066E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2066IL	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2066ILE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2066R	DIGITRON	获取价格	Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt
1N2066R	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2066RIL	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
1N2067	MICROSEMI	获取价格	SILICON POWER RECTIFIER
1N2067	VISHAY	获取价格	DIODE 250 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode
1N2067E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2067IL	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 900V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN

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