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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.01 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N1206AR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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| 1N1206B | POWEREX | Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 600V V(RRM) |
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| 1N1206B | MICROSEMI | Silicon Power Rectifier |
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|
| 1N1206B | NJSEMI | Diode Switching 600V 12A 2-Pin DO-4 |
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|
| 1N1206BE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1206C | MICROSEMI | SILICON POWER RECTIFIER |
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