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1MBI1500UE-330

更新时间： 2024-03-03 10:10:37

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富士电机 - FUJI		/
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1MBI1500UE-330 数据手册

1MBI1500UE-330

IGBT Modules

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Forward current vs. Forward on voltage (typ.)

Reverse recovery characteristics (typ.)

Vcc=1800V, VGE=±15V, Rg=±1.6Ω, Lm=160nH

chip

3000

2500

2000

1500

1000

500

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

Irr

Tj=25ºC

trr

Tj=150ºC

Tj=125ºC

Tj=125deg.C

Tj=150deg.C

500

1000

1500

2000

2500

Forward on voltage : VF [ V ]

Forward current : IF [ A ]

FWD safe operating area (max.)

Tj=150^oC / sense terminals

Transient thermal resistance (max.)

100.0

10.0

1.0

3000

2500

2000

1500

1000

500

FWD

Pvmax=2.4MW

IGBT

−

⎛

⎜

⎝

⎞

τ_n

⎟

Zth

1− e

r_n⋅

∑

⎟

⎠

n=1

500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

0.1

0.001

0.010

0.100

1.000

Pulse width : Pw [ sec ]

IGBT

0.00142

0.00206

0.00203

0.00248

0.0050

0.0404

0.0410

0.2271

FWD

0.00266

0.00387

0.00381

0.00466

0.0050

0.0404

0.0410

0.2271

τ1

τ2

τ3

τ4

1 2 3 456 7 8

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