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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SWITCHING SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 800 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1MBI200N-120 | FUJI | IGBT MODULE |
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| 1MBI200NA-120 | FUJI | IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI200NB-120 | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 1MBI200NH-060 | FUJI | IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI200NK-060 | FUJI | IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI200S120 | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
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