5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT LIMITING CIRCUIT |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 780 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 600 ns | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1MBI200S120 | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
获取价格 |
|
| 1MBI200S-120 | FUJI | IGBT MODULE 1200V / 200A / 1 in one package |
获取价格 |
|
| 1MBI200SA120 | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
获取价格 |
|
| 1MBI200SA-120 | ETC | SINGLE IGBT |
获取价格 |
|
| 1MBI200SH-140 | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor |
获取价格 |
|
| 1MBI200U4H-120L-50 | FUJI | IGBT MODULE (U series) 1200V / 200A / 1 in one package |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
