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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT LIMITING CIRCUIT | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 900 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1MBI200NH-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI200NK-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 1MBI200S120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
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| 1MBI200S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE 1200V / 200A / 1 in one package |
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| 1MBI200SA120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
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| 1MBI200SA-120 | ETC |
获取价格 |
SINGLE IGBT |
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| 1MBI200SH-140 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| 1MBI200U4H-120L-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (U series) 1200V / 200A / 1 in one package |
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| 1MBI200VA-120L-50 | FUJI |
获取价格 |
1-Pack(1 in 1) M262 |
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| 1MBI2400U4C-170 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, M143, 9 PIN |
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