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1DI50K-055

更新时间: 2024-01-19 10:00:14
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4页 183K
描述

1DI50K-055 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:300 W最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:CHOPPER
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):16000 ns
最大开启时间(吨):3000 nsBase Number Matches:1

1DI50K-055 数据手册

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