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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 500 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | CHOPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 18000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 3000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1DL41A | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS) |
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| 1DL41A | TAYCHIPST |
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SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS |
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| 1DL41ATPA1 | TOSHIBA |
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DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1DL41ATPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1DL41ATPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1DL41ATPB2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1DL42 | TOSHIBA |
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HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (SWICTHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS) |
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| 1DL42A | TOSHIBA |
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HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS) |
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| 1DL42A | TAYCHIPST |
获取价格 |
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS |
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| 1DL42ATPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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